Phase change más veloz que flash

La memoria flash se enfrenta a una nueva generación de memorias denominada phase change que va 500 veces más rápido. Esta memoria es una creación de un grupo de compañías lideradas por IBM, quienes aseguran que realizará un mejor trabajo almacenando audio, fotos y otros datos en iPods y cámaras digitales que la actual memoria flash, y que algún día podría reemplazar los dispositivos de disco. Este avance se debe en parte a la incorporación de un nuevo material en la construcción de los chips de memoria, una aleación de germanio a la cual los investigadores agregaron otros elementos para mejorar sus propiedades.

Categoría: Memorias ram  Tags: phase change materials
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